型号:DMN2009LSS-13 | 类别:FET - 单 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 12A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 8 毫欧 @ 12A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 58.3nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 2555pF @ 10V |
功率_最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOP |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市富毅科技有限公司 | 邓086-0755-83259360 |
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现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
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